1. ಸಿಲಿಕಾನ್ ಆಧಾರಿತ LED ಗಳ ಪ್ರಸ್ತುತ ಒಟ್ಟಾರೆ ತಾಂತ್ರಿಕ ಸ್ಥಿತಿಯ ಅವಲೋಕನ

ಸಿಲಿಕಾನ್ ತಲಾಧಾರಗಳ ಮೇಲೆ GaN ವಸ್ತುಗಳ ಬೆಳವಣಿಗೆಯು ಎರಡು ಪ್ರಮುಖ ತಾಂತ್ರಿಕ ಸವಾಲುಗಳನ್ನು ಎದುರಿಸುತ್ತಿದೆ. ಮೊದಲನೆಯದಾಗಿ, ಸಿಲಿಕಾನ್ ತಲಾಧಾರ ಮತ್ತು GaN ನಡುವಿನ 17% ವರೆಗಿನ ಲ್ಯಾಟಿಸ್ ಅಸಾಮರಸ್ಯವು GaN ವಸ್ತುವಿನೊಳಗೆ ಹೆಚ್ಚಿನ ಸ್ಥಾನಪಲ್ಲಟದ ಸಾಂದ್ರತೆಗೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ, ಇದು ಪ್ರಕಾಶಮಾನ ದಕ್ಷತೆಯ ಮೇಲೆ ಪರಿಣಾಮ ಬೀರುತ್ತದೆ; ಎರಡನೆಯದಾಗಿ, ಸಿಲಿಕಾನ್ ತಲಾಧಾರ ಮತ್ತು GaN ನಡುವೆ 54% ವರೆಗಿನ ಉಷ್ಣದ ಅಸಾಮರಸ್ಯವಿದೆ, ಇದು ಹೆಚ್ಚಿನ-ತಾಪಮಾನದ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ನಂತರ GaN ಫಿಲ್ಮ್‌ಗಳನ್ನು ಬಿರುಕುಗೊಳಿಸುವಂತೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಕೋಣೆಯ ಉಷ್ಣಾಂಶಕ್ಕೆ ಇಳಿಯುತ್ತದೆ, ಉತ್ಪಾದನಾ ಇಳುವರಿ ಮೇಲೆ ಪರಿಣಾಮ ಬೀರುತ್ತದೆ. ಆದ್ದರಿಂದ, ಸಿಲಿಕಾನ್ ತಲಾಧಾರ ಮತ್ತು GaN ತೆಳುವಾದ ಫಿಲ್ಮ್ ನಡುವಿನ ಬಫರ್ ಪದರದ ಬೆಳವಣಿಗೆಯು ಅತ್ಯಂತ ಮುಖ್ಯವಾಗಿದೆ. GaN ಒಳಗೆ ಡಿಸ್ಲೊಕೇಶನ್ ಸಾಂದ್ರತೆಯನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುವಲ್ಲಿ ಮತ್ತು GaN ಕ್ರ್ಯಾಕಿಂಗ್ ಅನ್ನು ನಿವಾರಿಸುವಲ್ಲಿ ಬಫರ್ ಲೇಯರ್ ಪಾತ್ರವಹಿಸುತ್ತದೆ. ಬಹುಮಟ್ಟಿಗೆ, ಬಫರ್ ಪದರದ ತಾಂತ್ರಿಕ ಮಟ್ಟವು ಆಂತರಿಕ ಕ್ವಾಂಟಮ್ ದಕ್ಷತೆ ಮತ್ತು ಎಲ್ಇಡಿ ಉತ್ಪಾದನೆಯ ಇಳುವರಿಯನ್ನು ನಿರ್ಧರಿಸುತ್ತದೆ, ಇದು ಸಿಲಿಕಾನ್ ಆಧಾರಿತ ಗಮನ ಮತ್ತು ತೊಂದರೆಯಾಗಿದೆ.ಎಲ್ಇಡಿ. ಈಗಿನಂತೆ, ಉದ್ಯಮ ಮತ್ತು ಶೈಕ್ಷಣಿಕ ಎರಡರಿಂದಲೂ ಸಂಶೋಧನೆ ಮತ್ತು ಅಭಿವೃದ್ಧಿಯಲ್ಲಿ ಗಮನಾರ್ಹ ಹೂಡಿಕೆಯೊಂದಿಗೆ, ಈ ತಾಂತ್ರಿಕ ಸವಾಲನ್ನು ಮೂಲತಃ ನಿವಾರಿಸಲಾಗಿದೆ.

ಸಿಲಿಕಾನ್ ತಲಾಧಾರವು ಗೋಚರ ಬೆಳಕನ್ನು ಬಲವಾಗಿ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ, ಆದ್ದರಿಂದ GaN ಫಿಲ್ಮ್ ಅನ್ನು ಮತ್ತೊಂದು ತಲಾಧಾರಕ್ಕೆ ವರ್ಗಾಯಿಸಬೇಕು. ವರ್ಗಾವಣೆಯ ಮೊದಲು, GaN ಹೊರಸೂಸುವ ಬೆಳಕನ್ನು ತಲಾಧಾರದಿಂದ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವುದನ್ನು ತಡೆಯಲು GaN ಫಿಲ್ಮ್ ಮತ್ತು ಇತರ ತಲಾಧಾರದ ನಡುವೆ ಹೆಚ್ಚಿನ ಪ್ರತಿಫಲಕ ಪ್ರತಿಫಲಕವನ್ನು ಸೇರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ತಲಾಧಾರ ವರ್ಗಾವಣೆಯ ನಂತರದ ಎಲ್ಇಡಿ ರಚನೆಯನ್ನು ಉದ್ಯಮದಲ್ಲಿ ಥಿನ್ ಫಿಲ್ಮ್ ಚಿಪ್ ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ. ಪ್ರಸ್ತುತ ಪ್ರಸರಣ, ಉಷ್ಣ ವಾಹಕತೆ ಮತ್ತು ಸ್ಪಾಟ್ ಏಕರೂಪತೆಯ ವಿಷಯದಲ್ಲಿ ಸಾಂಪ್ರದಾಯಿಕ ಔಪಚಾರಿಕ ರಚನೆಯ ಚಿಪ್‌ಗಳಿಗಿಂತ ತೆಳುವಾದ ಫಿಲ್ಮ್ ಚಿಪ್‌ಗಳು ಪ್ರಯೋಜನಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿವೆ.

2. ಪ್ರಸ್ತುತ ಒಟ್ಟಾರೆ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ ಸ್ಥಿತಿಯ ಅವಲೋಕನ ಮತ್ತು ಸಿಲಿಕಾನ್ ಸಬ್‌ಸ್ಟ್ರೇಟ್ LED ಗಳ ಮಾರುಕಟ್ಟೆ ಅವಲೋಕನ

ಸಿಲಿಕಾನ್ ಆಧಾರಿತ ಎಲ್ಇಡಿಗಳು ಲಂಬವಾದ ರಚನೆ, ಏಕರೂಪದ ಪ್ರಸ್ತುತ ವಿತರಣೆ ಮತ್ತು ವೇಗದ ಪ್ರಸರಣವನ್ನು ಹೊಂದಿದ್ದು, ಅವುಗಳನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಕ್ತಿಯ ಅನ್ವಯಗಳಿಗೆ ಸೂಕ್ತವಾಗಿಸುತ್ತದೆ. ಅದರ ಏಕ-ಬದಿಯ ಬೆಳಕಿನ ಔಟ್‌ಪುಟ್, ಉತ್ತಮ ನಿರ್ದೇಶನ ಮತ್ತು ಉತ್ತಮ ಬೆಳಕಿನ ಗುಣಮಟ್ಟದಿಂದಾಗಿ, ಇದು ಆಟೋಮೋಟಿವ್ ಲೈಟಿಂಗ್, ಸರ್ಚ್‌ಲೈಟ್‌ಗಳು, ಮೈನಿಂಗ್ ಲ್ಯಾಂಪ್‌ಗಳು, ಮೊಬೈಲ್ ಫೋನ್ ಫ್ಲ್ಯಾಷ್ ಲೈಟ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಹೈ-ಎಂಡ್ ಲೈಟಿಂಗ್ ಫೀಲ್ಡ್‌ಗಳಂತಹ ಮೊಬೈಲ್ ಲೈಟಿಂಗ್‌ಗೆ ವಿಶೇಷವಾಗಿ ಸೂಕ್ತವಾಗಿದೆ. .

ಜಿಂಗ್ನೆಂಗ್ ಆಪ್ಟೊಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಸಬ್‌ಸ್ಟ್ರೇಟ್ LED ನ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ ಮತ್ತು ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯು ಪ್ರಬುದ್ಧವಾಗಿದೆ. ಸಿಲಿಕಾನ್ ಸಬ್‌ಸ್ಟ್ರೇಟ್ ಬ್ಲೂ ಲೈಟ್ ಎಲ್‌ಇಡಿ ಚಿಪ್‌ಗಳ ಕ್ಷೇತ್ರದಲ್ಲಿ ಪ್ರಮುಖ ಅನುಕೂಲಗಳನ್ನು ಕಾಯ್ದುಕೊಳ್ಳುವುದನ್ನು ಮುಂದುವರಿಸುವುದರ ಆಧಾರದ ಮೇಲೆ, ನಮ್ಮ ಉತ್ಪನ್ನಗಳು ಡೈರೆಕ್ಷನಲ್ ಲೈಟ್ ಮತ್ತು ಉತ್ತಮ ಗುಣಮಟ್ಟದ ಔಟ್‌ಪುಟ್ ಅಗತ್ಯವಿರುವ ಲೈಟಿಂಗ್ ಫೀಲ್ಡ್‌ಗಳಿಗೆ ವಿಸ್ತರಿಸುವುದನ್ನು ಮುಂದುವರಿಸುತ್ತವೆ, ಉದಾಹರಣೆಗೆ ವೈಟ್ ಲೈಟ್ ಎಲ್‌ಇಡಿ ಚಿಪ್‌ಗಳು ಹೆಚ್ಚಿನ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚುವರಿ ಮೌಲ್ಯ , ಎಲ್ಇಡಿ ಮೊಬೈಲ್ ಫೋನ್ ಫ್ಲ್ಯಾಶ್ ದೀಪಗಳು, ಎಲ್ಇಡಿ ಕಾರ್ ಹೆಡ್ಲೈಟ್ಗಳು, ಎಲ್ಇಡಿ ಬೀದಿ ದೀಪಗಳು, ಎಲ್ಇಡಿ ಬ್ಯಾಕ್ಲೈಟ್, ಇತ್ಯಾದಿ, ವಿಭಾಗೀಯ ಉದ್ಯಮದಲ್ಲಿ ಸಿಲಿಕಾನ್ ತಲಾಧಾರದ ಎಲ್ಇಡಿ ಚಿಪ್ಗಳ ಅನುಕೂಲಕರ ಸ್ಥಾನವನ್ನು ಕ್ರಮೇಣವಾಗಿ ಸ್ಥಾಪಿಸುತ್ತದೆ.

3. ಸಿಲಿಕಾನ್ ತಲಾಧಾರದ ಎಲ್ಇಡಿ ಅಭಿವೃದ್ಧಿ ಪ್ರವೃತ್ತಿ ಭವಿಷ್ಯ

ಬೆಳಕಿನ ದಕ್ಷತೆಯನ್ನು ಸುಧಾರಿಸುವುದು, ವೆಚ್ಚಗಳನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುವುದು ಅಥವಾ ವೆಚ್ಚ-ಪರಿಣಾಮಕಾರಿತ್ವವು ಶಾಶ್ವತ ವಿಷಯವಾಗಿದೆಎಲ್ಇಡಿ ಉದ್ಯಮ. ಸಿಲಿಕಾನ್ ಸಬ್‌ಸ್ಟ್ರೇಟ್ ಥಿನ್ ಫಿಲ್ಮ್ ಚಿಪ್‌ಗಳನ್ನು ಅನ್ವಯಿಸುವ ಮೊದಲು ಪ್ಯಾಕ್ ಮಾಡಬೇಕು ಮತ್ತು ಪ್ಯಾಕೇಜಿಂಗ್ ವೆಚ್ಚವು ಎಲ್‌ಇಡಿ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ ವೆಚ್ಚದ ಹೆಚ್ಚಿನ ಭಾಗವನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತದೆ. ಸಾಂಪ್ರದಾಯಿಕ ಪ್ಯಾಕೇಜಿಂಗ್ ಅನ್ನು ಬಿಟ್ಟುಬಿಡಿ ಮತ್ತು ವೇಫರ್‌ನಲ್ಲಿನ ಘಟಕಗಳನ್ನು ನೇರವಾಗಿ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ ಮಾಡಿ. ಬೇರೆ ರೀತಿಯಲ್ಲಿ ಹೇಳುವುದಾದರೆ, ವೇಫರ್‌ನಲ್ಲಿನ ಚಿಪ್ ಸ್ಕೇಲ್ ಪ್ಯಾಕೇಜಿಂಗ್ (CSP) ಪ್ಯಾಕೇಜಿಂಗ್ ಅಂತ್ಯವನ್ನು ಬಿಟ್ಟು ನೇರವಾಗಿ ಚಿಪ್ ತುದಿಯಿಂದ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ ಅಂತ್ಯವನ್ನು ನಮೂದಿಸಿ, LED ನ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ ವೆಚ್ಚವನ್ನು ಮತ್ತಷ್ಟು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ. ಸಿಲಿಕಾನ್‌ನಲ್ಲಿನ GaN ಆಧಾರಿತ LED ಗಳಿಗೆ CSP ಒಂದು ನಿರೀಕ್ಷೆಯಾಗಿದೆ. ತೋಷಿಬಾ ಮತ್ತು ಸ್ಯಾಮ್‌ಸಂಗ್‌ನಂತಹ ಅಂತರರಾಷ್ಟ್ರೀಯ ಕಂಪನಿಗಳು ಸಿಲಿಕಾನ್ ಆಧಾರಿತ ಎಲ್‌ಇಡಿಗಳನ್ನು ಸಿಎಸ್‌ಪಿಗಾಗಿ ಬಳಸುತ್ತಿವೆ ಎಂದು ವರದಿ ಮಾಡಿದೆ ಮತ್ತು ಸಂಬಂಧಿತ ಉತ್ಪನ್ನಗಳು ಶೀಘ್ರದಲ್ಲೇ ಮಾರುಕಟ್ಟೆಯಲ್ಲಿ ಲಭ್ಯವಿರುತ್ತವೆ ಎಂದು ನಂಬಲಾಗಿದೆ.

ಇತ್ತೀಚಿನ ವರ್ಷಗಳಲ್ಲಿ, ಎಲ್ಇಡಿ ಉದ್ಯಮದಲ್ಲಿ ಮತ್ತೊಂದು ಹಾಟ್ ಸ್ಪಾಟ್ ಮೈಕ್ರೋ ಎಲ್ಇಡಿ, ಇದನ್ನು ಮೈಕ್ರೋಮೀಟರ್ ಮಟ್ಟದ ಎಲ್ಇಡಿ ಎಂದೂ ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ. ಮೈಕ್ರೋ ಎಲ್‌ಇಡಿಗಳ ಗಾತ್ರವು ಕೆಲವು ಮೈಕ್ರೋಮೀಟರ್‌ಗಳಿಂದ ಹತ್ತಾರು ಮೈಕ್ರೊಮೀಟರ್‌ಗಳವರೆಗೆ ಇರುತ್ತದೆ, ಎಪಿಟ್ಯಾಕ್ಸಿಯಿಂದ ಬೆಳೆದ GaN ತೆಳುವಾದ ಫಿಲ್ಮ್‌ಗಳ ದಪ್ಪದಂತೆಯೇ ಇರುತ್ತದೆ. ಮೈಕ್ರೋಮೀಟರ್ ಸ್ಕೇಲ್‌ನಲ್ಲಿ, ಬೆಂಬಲದ ಅಗತ್ಯವಿಲ್ಲದೇ ನೇರವಾಗಿ GaN ವಸ್ತುಗಳನ್ನು ಲಂಬವಾಗಿ ರಚನೆಯಾದ GaNLED ಆಗಿ ಮಾಡಬಹುದು. ಅಂದರೆ, ಮೈಕ್ರೋ ಎಲ್ಇಡಿಗಳನ್ನು ತಯಾರಿಸುವ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಲ್ಲಿ, ಬೆಳೆಯುತ್ತಿರುವ GaN ಗೆ ತಲಾಧಾರವನ್ನು ತೆಗೆದುಹಾಕಬೇಕು. ಸಿಲಿಕಾನ್ ಆಧಾರಿತ ಎಲ್‌ಇಡಿಗಳ ನೈಸರ್ಗಿಕ ಪ್ರಯೋಜನವೆಂದರೆ ಸಿಲಿಕಾನ್ ತಲಾಧಾರವನ್ನು ರಾಸಾಯನಿಕ ಆರ್ದ್ರ ಎಚ್ಚಣೆಯಿಂದ ಮಾತ್ರ ತೆಗೆದುಹಾಕಬಹುದು, ತೆಗೆಯುವ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಲ್ಲಿ GaN ವಸ್ತುವಿನ ಮೇಲೆ ಯಾವುದೇ ಪರಿಣಾಮವಿಲ್ಲದೆ, ಇಳುವರಿ ಮತ್ತು ವಿಶ್ವಾಸಾರ್ಹತೆಯನ್ನು ಖಾತ್ರಿಪಡಿಸುತ್ತದೆ. ಈ ದೃಷ್ಟಿಕೋನದಿಂದ, ಸಿಲಿಕಾನ್ ಸಬ್‌ಸ್ಟ್ರೇಟ್ ಎಲ್‌ಇಡಿ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವು ಮೈಕ್ರೋ ಎಲ್‌ಇಡಿಗಳ ಕ್ಷೇತ್ರದಲ್ಲಿ ಸ್ಥಾನವನ್ನು ಹೊಂದಲು ಬದ್ಧವಾಗಿದೆ.